发明名称 一种带自检测装置的压阻式压力传感器及其制备方法
摘要 本发明公开了一种带自检测装置的压阻式压力传感器,包括硅衬底、压敏电阻条、二氧化硅和氮化硅复合层、下电极、弹性敏感薄膜、真空密封腔、上电极、铟凸点、上玻璃基板、玻璃、金属引线、硼离子重掺杂扩散区;二氧化硅和氮化硅复合层生长在硅衬底的顶面;硅衬底中设有与压敏电阻条相连的硼离子重掺杂扩散区;下电极嵌至在二氧化硅和氮化硅复合层中;上玻璃基板固定连接在二氧化硅和氮化硅复合层的顶面;金属引线的一端伸入二氧化硅和氮化硅复合层的电极引出孔中,金属引线的另一端与压敏电阻条连接,构成惠斯通电桥。该压力传感器利用静电力模拟实际检测中的压力值,能够快速实现压力值的改变,在分析传感器性能时,具有更高的效率。
申请公布号 CN105716753A 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201610266004.3 申请日期 2016.04.26
申请人 东南大学 发明人 聂萌;杨恒山;黄庆安
分类号 G01L1/20(2006.01)I;G01L25/00(2006.01)I 主分类号 G01L1/20(2006.01)I
代理机构 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人 杨晓玲
主权项 一种带自检测装置的压阻式压力传感器,其特征在于,该压力传感器包括硅衬底(1)、压敏电阻条(2)、二氧化硅和氮化硅复合层(3)、下电极(4)、弹性敏感薄膜(5)、真空密封腔(6)、上电极(7)、铟凸点(8)、上玻璃基板(9)、玻璃(10)、金属引线(11)、硼离子重掺杂扩散区(12);硅衬底(1)的底部和玻璃(10)通过阳极键合,真空密封腔(6)位于硅衬底(1)中,真空密封腔(6)的底面为玻璃(10)的顶面;位于真空密封腔(6)正上方的硅衬底(1)为弹性敏感薄膜(5);二氧化硅和氮化硅层复合层(3)生长在硅衬底(1)的顶面;压敏电阻条(2)位于硅衬底(1)中;硅衬底(1)中还设有与压敏电阻条(2)相连的硼离子重掺杂扩散区(12);下电极(4)嵌至在二氧化硅和氮化硅复合层(3)中,且下电极(4)的底面与压敏电阻条(2)的顶面相连;下电极(4)通过压焊快引出;上玻璃基板(9)通过铟凸点(8)固定连接在二氧化硅和氮化硅复合层(3)的顶面;上电极(7)固定连接在上玻璃基板(9)的底面;二氧化硅和氮化硅复合层(3)中设有电极引出孔,金属引线(11)的一端伸入二氧化硅和氮化硅复合层(3)的电极引出孔中,与硼离子重掺杂扩散区(12)形成欧姆接触,金属引线(11)的另一端与该硼离子重掺杂扩散区(12)相连的压敏电阻条(2)连接,构成惠斯通电桥。
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