半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；在衬底上形成分立的浮栅层以及位于浮栅层表面的硬掩膜；以硬掩膜为掩膜刻蚀浮栅层露出的衬底，在衬底内形成位于第一区域的第一沟槽以及位于第二区域的第二初始沟槽；在第一沟槽内形成图形层；以图形层为掩膜，刻蚀第二初始沟槽形成第二沟槽；在第一沟槽内形成第一隔离结构。本发明先形成具有第一沟槽和第二初始沟槽，再遮挡住第一沟槽，刻蚀第二初始沟槽形成第二沟槽。在不影响第二沟槽深度的同时，获得深度较小的第一沟槽以降低第一沟槽的深宽比，从而提高第一隔离结构的形成质量，进而提高半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括用于形成核心存储电路的第一区域和用于形成外围电路的第二区域；在所述衬底上形成分立的浮栅层以及位于所述浮栅层表面的硬掩膜；以所述硬掩膜为掩膜，采用第一刻蚀工艺，刻蚀所述浮栅层露出的衬底，在所述衬底内形成沟槽，所述沟槽包括位于第一区域衬底内的第一沟槽以及位于所述第二区域衬底内的第二初始沟槽，所述第一沟槽和第二初始沟槽具有第一深度；在所述第一沟槽内形成图形层；以所述图形层为掩膜，采用第二刻蚀工艺，刻蚀所述第二初始沟槽，形成第二沟槽，所述第二沟槽具有第二深度，所述第二深度大于所述第一深度；在所述第一沟槽内形成第一隔离结构，在所述第二沟槽内形成第二隔离结构。