一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法

摘要

一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZn_xLi_yN_zO；InZn_xLi_yN_zO的靶包括In₂O₃、ZnO、Li₂O和Zn₃N₂，0<x≤2，0<y≤0.1，0<Z≤0.1，厚度为20～60nm。用磁控溅射法制备沟道层，溅射功率为70～200W，氧/氩压比为0～40％，生长温度为室温～500℃，退火温度为350～500℃或760～960℃。该薄膜晶体管主要用于平板显示和透明电路。

主权项

一种氧化铟基薄膜晶体管制作方法，该方法的步骤包括：步骤一在衬底上制备底电极，然后放入磁控溅射中，进行预处理；步骤二在步骤一制备的底电极上制备绝缘层，其厚度为60～300nm，其中用溅射法制备SiO₂、HfO₂、ZrO₂或Al₂O₃的绝缘层，其功率为70～200W，氧/氩压比为0～40％，生长温度为室温～500℃；或用PECVD法制备SiO₂或HfO₂或ZrO₂或Al₂O₃的绝缘层；或用热氧化法制备SiO₂的绝缘层；步骤三制备沟道层；步骤四用磁控溅射法制备SiO₂或Al₂O₃，厚度为0～300nm的保护钝化层；或用PECVD法制备SiO₂或Al₂O₃的保护钝化层；步骤五用磁控溅射法或热蒸发法制备电极，制作出薄膜晶体管；其特征在于：所述的步骤三制备沟道层：用磁控溅射法制备InZn_xLi_yN_zO的沟道层，厚度为20～60nm，0<x≤2，0<y≤0.1，0<Z≤0.1，溅射功率为70～200W，氧/氩压比为0～40％，生长温度为室温～500℃，退火温度为350～500℃或760～960℃。