发明名称 基准电压产生电路
摘要 本发明提出了一种基准电压产生电路,在基准电压电路和读电路之间添加一个驱动缓冲电路,减少现有技术中基准电压产生电路原有的负载,使基准电压产生电路只与驱动缓冲电路的栅极相连,有效的缩短基准电压的建立时间,使读电路重置时间缩短,进而提高读取速度,基准电压电路改进后较原有设计更为简化,电路在面积和功耗方面也有所减。
申请公布号 CN104793685B 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201510189270.6 申请日期 2015.04.17
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 吕文君
分类号 G05F1/56(2006.01)I;G11C7/06(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种基准电压产生电路,用于对读电路提供基准电压,其特征在于,包括:参考电压电路、基准电压电路以及驱动缓冲电路,其中,所述参考电压电路产生参考电压,并提供给所述基准电压电路,所述基准电压电路产生基准电压,并通过所述驱动缓冲电路输出至读电路,所述驱动缓冲电路为差分负反馈电路,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管,所述第一PMOS管源极和衬底端短接并接一工作电压,栅极接第一使能信号,漏极与所述第二PMOS管和第三PMOS管的源极相连,所述第二PMOS管和第三PMOS管的衬底端相连并接所述工作电压,所述第二PMOS管的栅极接来自所述基准电压电路的基准电压输出端,所述第三PMOS管的栅极与漏极短接并输出所述基准电压,所述第二PMOS管和第三PMOS管的漏极分别与所述第一NMOS管和第二NMOS管的源极相连,所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极相连并与所述第一NMOS管的源极短接,所述第一NMOS管和第二NMOS管的衬底端、漏极均接地。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号