| 发明名称 | 多阈值电压器件以及相关联的技术和结构 | ||
| 摘要 | 本公开内容的实施例描述了多阈值电压器件以及相关联的技术和结构。在一个实施例中，一种装置包括：半导体衬底、被设置在半导体衬底上的沟道体、具有第一厚度并且与沟道体耦合的第一栅极电极以及具有第二厚度并且与沟道体耦合的第二栅极电极，其中，第一厚度大于第二厚度。可以描述和/或请求保护其它实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN105723517A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201480062528.X | 申请日期 | 2014.12.02 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·M·施泰格瓦尔德;T·加尼;J·胡;I·R·C·波斯特 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;韩宏 |
| 主权项 | 一种装置，包括：半导体衬底；沟道体，所述沟道体被设置在所述半导体衬底上；第一栅极电极，所述第一栅极电极具有第一厚度并且与所述沟道体耦合；以及第二栅极电极，所述第二栅极电极具有第二厚度并且与所述沟道体耦合，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||