发明名称 |
电阻式存储器结构、其操作方法及制作方法 |
摘要 |
本发明提供了一种电阻式存储器结构、其操作方法及制作方法,该电阻式存储器结构包括一第一电极层、一披覆于该第一电极层的电阻切换层、一披覆于该电阻切换层的扩散金属层,及一披覆于该扩散金属层的第二电极层,其中在该电阻切换层内设置有至少一电极延伸部。 |
申请公布号 |
CN103682091B |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201210425540.5 |
申请日期 |
2012.10.31 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
张鼎张;陈敏甄;徐咏恩;张冠张;简富彦 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种电阻式存储器结构,其特征在于,包括:第一电极层;电阻切换层,披覆于该第一电极层,该电阻切换层内设置有至少一电极延伸部;扩散金属层,披覆于该电阻切换层;及第二电极层,披覆于该扩散金属层,其特征在于,该电阻切换层还包括有披覆于该第一电极层的切换基层部,及设置于该切换基层部与该扩散金属层之间的多孔隙部,其中该多孔隙部为多孔隙材质,当该扩散金属层受一电场,使该扩散金属层扩散进入该多孔隙部,而在该多孔隙部内形成一或多个电极延伸部。 |
地址 |
中国台湾新竹县 |