肖特基二极管

摘要

具有在半导体材料（210、516）内的间隔的掺杂带（214、216），位于掺杂带（214、216）之间的半导体材料（210、516）的阴极区域，和接触半导体材料（210、516）的阴极区域的表面的阳极金属区域的肖特基二极管（200、300、400和500）改进了工作特性，诸如导通状态电阻、反向泄漏电流和反向击穿电压。肖特基二极管（200、300、400、500）还具有间隔的非导电带（224、226、410、412），其接触半导体材料（210、516）的阴极区域的表面的并且横向地将金属区域（244）与隔开的掺杂带（214、216）间隔。

主权项

一种肖特基二极管，包括：具有n型区域的半导体结构，所述n型区域具有掺杂浓度；接触所述半导体结构的第一n型带，所述第一n型带具有大于所述n型区域的掺杂浓度的掺杂浓度；接触所述半导体结构的第二n型带，所述第二n型带具有大于所述n型区域的掺杂浓度的掺杂浓度，并且与所述第一n型带间隔，没有具有n型且掺杂浓度大于所述n型区域的掺杂浓度的掺杂区域接触所述第一n型带和所述第二n型带两者；接触所述半导体结构以横向地包围所述第一n型带和所述第二n型带的浅沟槽隔离即STI环，所述STI环接触所述第一n型带和所述第二n型带；接触所述第一n型带的顶表面的第一金属带；接触所述第二n型带的顶表面的第二金属带；接触所述半导体结构、横向位于所述第一金属带和所述第二金属带之间并且与所述第一金属带和所述第二金属带间隔的金属区域，所述第一金属带、所述第二金属带和所述金属区域位于单个平面内；接触所述半导体结构的顶表面的第一非导电带，所述第一非导电带横向位于所述第一金属带和所述金属区域之间；接触所述半导体结构的顶表面的第二非导电带，所述第二非导电带与所述第一非导电带间隔开，并且横向位于所述第二金属带和所述金属区域之间；接触所述半导体结构的第一p型区域，所述第一p型区域横向位于所述第一n型带和所述第二n型带之间；以及接触所述半导体结构的第二p型区域，所述第二p型区域横向位于所述第一n型带和所述第二n型带之间，并且与所述第一p型区域间隔开从而没有p型区域接触所述第一p型区域和所述第二p型区域两者，所述STI环接触所述第一p型区域和所述第二p型区域。