用于将材料沉积在基板上的设备

摘要

本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体，其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面；喷淋头，该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面；以及排气口，该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。

主权项

一种用于处理基板的设备，所述设备包含：处理腔室，所述处理腔室具有温控反应容积，所述温控反应容积包括包含石英的内表面，且所述处理腔室具有基板支撑件，所述基板支撑件安置于所述温控反应容积内部以支撑基板的处理表面；加热系统，所述加热系统安置于所述基板支撑件的下方以提供热能至所述基板支撑件；喷射器，所述喷射器被安置至所述基板支撑件的第一侧，且所述喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及所述喷射器具有第二流动路径以独立于所述第一处理气体而提供第二处理气体，其中所述喷射器被定位以提供所述第一处理气体及所述第二处理气体遍及所述基板的所述处理表面；喷淋头，所述喷淋头安置于所述基板支撑件的上方以提供所述第一处理气体至所述基板的所述处理表面；以及加热排气歧管，所述加热排气歧管被安置至所述基板支撑件的第二侧，与所述喷射器相对以从所述处理腔室排出所述第一处理气体及所述第二处理气体，其中所述温控反应容积至少部分地由多个腔室元件形成，所述多个腔室元件包括：腔室盖，所述腔室盖安置于所述基板支撑件的上方；上腔室衬垫，所述上腔室衬垫被安置相邻于所述基板支撑件，且在所述喷射器及所述加热排气歧管的上方并在所述腔室盖的下方；以及下腔室衬垫，所述下腔室衬垫被安置相邻于所述基板支撑件且在所述喷射器及所述加热排气歧管的下方。