| 发明名称 | 硅薄膜太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种硅薄膜太阳能电池。该硅薄膜太阳能电池包括衬底、至少一个半导体层、透明导电层与金属层，各半导体层包括依次设置的至少一个N型层、至少一个I型层与至少一个P型层。其中，N型层中的至少一个为宽带隙N型层，形成宽带隙N型层的材料的能带宽度大于形成I型层的材料的能带宽度。该硅薄膜太阳能电池使用宽带隙N型层可以提高开压，提高填充因子，进而提高硅薄膜太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105720118A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201610084053.5 | 申请日期 | 2016.02.06 |
| 申请人 | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 | 发明人 | 彭文博;刘大为;高虎 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/075(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 赵囡囡;吴贵明 |
| 主权项 | 一种硅薄膜太阳能电池，包括衬底(10)、至少一个半导体层(20)、透明导电层(30)与金属层(40)，各所述半导体层(20)包括依次设置的至少一个N型层(22)、至少一个I型层(23)与至少一个P型层(24)，其特征在于，所述N型层(22)中的至少一个为宽带隙N型层，形成所述宽带隙N型层的材料的能带宽度大于形成所述I型层(23)的材料的能带宽度。 | ||
| 地址 | 102209 北京市昌平区北七家未来科技城华能人才创新创业基地实验楼A楼 | ||