半导体器件以及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件以及其制造方法，使提高半导体器件的可靠性成为可能。半导体器件在半导体衬底上具有在多个布线层中的最上层处形成的焊盘电极、在焊盘电极上的具有开口的表面保护膜、在表面保护膜上形成并且具有上表面和侧表面的再分配线、包括覆盖再分配线的侧表面并且曝露再分配线的上表面的绝缘膜的侧壁阻挡膜以及覆盖再分配线上表面的封盖金属膜。于是，再分配线的上表面和侧表面覆盖以封盖金属膜或者侧壁阻挡膜，而封盖金属膜和侧壁阻挡膜具有重叠部分。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；多个布线层，形成在所述半导体衬底上；焊盘电极，形成在所述布线层中的最上层处；保护膜，位于所述焊盘电极上并且具有开口；基底金属膜，形成在所述保护膜和所述焊盘电极上；再分配线，形成在所述基底金属膜上并且具有上表面和侧表面；侧壁阻挡膜，由覆盖所述再分配线的所述侧表面的绝缘膜组成；以及封盖金属膜，覆盖所述再分配线的所述上表面，其中所述再分配线的所述上表面和所述侧表面被覆盖以所述封盖金属膜或者所述侧壁阻挡膜，并且所述封盖金属膜和所述侧壁阻挡膜具有重叠部分。