| 发明名称 | 一种去除金属纳米线表面有机物及氧化层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种去除金属纳米线表面有机物及氧化层的方法，所述方法是对金属纳米线或金属纳米线集合体进行常压等离子体处理，以除去金属纳米线表面的有机物和氧化层，其中等离子体气氛为氢气或氢气与惰性气氛的混合气，等离子体处理温度为20～180℃。本发明采用常压等离子体处理除去金属纳米线表面的有机物和氧化层，且处理温度可低至室温，即本发明在常压、低温下即可实现金属纳米线表面有机物及氧化层的同时去除。 | ||
| 申请公布号 | CN105710082A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201410723389.2 | 申请日期 | 2014.12.02 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 王冉冉;孙静;高濂 |
| 分类号 | B08B7/00(2006.01)I | 主分类号 | B08B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种去除金属纳米线表面有机物及氧化层的方法，其特征在于，对金属纳米线或金属纳米线集合体进行常压等离子体处理，以除去金属纳米线表面的有机物和氧化层，其中等离子体气氛为氢气或氢气与惰性气氛的混合气，等离子体处理温度为20～180℃。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||