| 发明名称 | 一种用于图形化衬底的掩膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于图形化衬底的掩膜。该图形化衬底的掩膜上刻有图形化衬底用的图形，以实现掩膜被划分成多个微单元，每个微单元的倾斜角度为锐角，以降低图形化衬底工艺过程中侧壁上拐角的最高高度，其中，倾斜角度是指微单元的侧壁和底面之间的夹角。本发明提供的用于图形化衬底的掩膜，其不仅可以减少PSS的工艺时间，而且还可以简化工艺步骤以及避免过刻蚀步骤的工艺时间较长和下电极功率较大造成的工艺均匀性差的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105702566A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201410706301.6 | 申请日期 | 2014.11.27 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 张吉初;方浩;蔡迅;肖青平;梁晓乾 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种用于图形化衬底的掩膜，其特征在于，所述掩膜上刻有图形化衬底用的图形，以实现所述掩膜被划分成多个微单元，每个所述微单元的侧壁和底面之间的倾斜角度为锐角，以降低图形化衬底工艺过程中侧壁上拐角的最高高度。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||