高效钝化低价格硅材料缺陷和杂质的激光增强氢气钝化方法及应用

摘要

本发明公开高效钝化低价格硅材料缺陷和杂质的激光增强氢气钝化方法及应用。该方法是将去除表面的杂质和氧化层后的低价格硅材料制作成硅材料上表面带有SiN_x:H钝化层的硅电池：然后利用激光选择性扫描硅电池高复合区，从而使高复合区的电学性质得到提高。上述方法可以直接处理太阳能硅电池。本发明钝化后低价格硅电池具有很高的稳定性，一般的热处理小于250℃不会影响激光增强的氢气钝化的效果。本发明可直接施加在制造太阳能电池的最后一步，避免了氢气钝化与其他太阳能电池制造步骤不兼容的问题。

主权项

高效钝化低价格硅材料缺陷和杂质的激光增强氢气钝化方法，其特征在于该方法包括以下步骤：步骤(1)、对低价格硅材料进行预处理，去除低价格硅材料表面的杂质和氧化层；所述的低价格硅材料为带有晶体缺陷和金属杂质的硅材料；步骤(2)、将步骤(1)预处理后的硅材料制作成硅材料上表面带有SiN_x:H钝化层的硅电池：步骤(3)、利用激光选择性扫描步骤(2)制备的硅电池高复合区；由于激光的加热和光照效应，激光增强的氢气钝化就会发生,使得高复合区的电学性质得到提高；所述的激光光源的强度控制在15W～20W，模式为连续模式，波长为808nm，速度控制在3m/s～6m/s。