发明名称 半导体装置
摘要 本发明公开的半导体装置包括:基板,在所述基板上形成有配线层、电极焊盘和光电二极管的光接收区域,所述配线层位于所述光接收区域的周围,所述电极焊盘位于所述配线层上;在所述基板的上表面上形成的树脂层,所述树脂层包括位于所述光接收区域的周围的至少一个凹槽,并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收区域、所述至少一个凹槽和所述电极焊盘之外的区域上,且所述树脂层具有耐热和遮光能力,其中,在所述光接收区域上方存在有树脂膜。结果,能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此,能够提高产率。
申请公布号 CN103594526B 申请公布日期 2016.06.22
申请号 CN201210597892.9 申请日期 2009.03.25
申请人 索尼株式会社 发明人 米田修二;大石正人;篠原保;渡边信二;宫田浩司;深江诚二;山内健二;后藤阳一;马场雅和
分类号 H01L31/0203(2014.01)I 主分类号 H01L31/0203(2014.01)I
代理机构 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人 陈桂香;褚海英
主权项 一种半导体装置,其包括:基板,在所述基板上形成有配线层、电极焊盘和光电二极管的光接收区域,所述配线层位于所述光接收区域的周围,所述电极焊盘位于所述配线层上;在所述基板的上表面上形成的树脂层,所述树脂层包括位于所述光接收区域的周围的至少一个凹槽,并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收区域、所述至少一个凹槽和所述电极焊盘之外的区域上,且所述树脂层具有耐热和遮光能力,其中,在所述光接收区域以及所述至少一个凹槽上方存在有树脂膜。
地址 日本东京