发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明公开的半导体装置包括:基板,在所述基板上形成有配线层、电极焊盘和光电二极管的光接收区域,所述配线层位于所述光接收区域的周围,所述电极焊盘位于所述配线层上;在所述基板的上表面上形成的树脂层,所述树脂层包括位于所述光接收区域的周围的至少一个凹槽,并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收区域、所述至少一个凹槽和所述电极焊盘之外的区域上,且所述树脂层具有耐热和遮光能力,其中,在所述光接收区域上方存在有树脂膜。结果,能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此,能够提高产率。 |
申请公布号 |
CN103594526B |
申请公布日期 |
2016.06.22 |
申请号 |
CN201210597892.9 |
申请日期 |
2009.03.25 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
米田修二;大石正人;篠原保;渡边信二;宫田浩司;深江诚二;山内健二;后藤阳一;马场雅和 |
分类号 |
H01L31/0203(2014.01)I |
主分类号 |
H01L31/0203(2014.01)I |
代理机构 |
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 |
代理人 |
陈桂香;褚海英 |
主权项 |
一种半导体装置,其包括:基板,在所述基板上形成有配线层、电极焊盘和光电二极管的光接收区域,所述配线层位于所述光接收区域的周围,所述电极焊盘位于所述配线层上;在所述基板的上表面上形成的树脂层,所述树脂层包括位于所述光接收区域的周围的至少一个凹槽,并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收区域、所述至少一个凹槽和所述电极焊盘之外的区域上,且所述树脂层具有耐热和遮光能力,其中,在所述光接收区域以及所述至少一个凹槽上方存在有树脂膜。 |
地址 |
日本东京 |