一种特质ε-HNIW晶体及其制备方法

摘要

本发明公开了一种特质ε-HNIW晶体及其制备方法，所述晶体HNIW含量≥99.5％；ε-HNIW含量≥95.0％；晶体密度≥2.033g/cm³，外观观测无尖锐棱角，晶面无裂纹，晶间无包夹物；晶体短长轴比≥0.75，投影面积周长比≥0.80；粒度分布在150～300μm之间的晶体含量占总量的50～80％。本发明的制备方法中，不需要添加晶种，通过调节反溶剂添加速率和搅拌速率，以达到控制晶体形貌和粒度分布的目的。具有操作简单，反溶剂用量少，反应条件温和，安全可靠，绿色高效，并容易实现产业化等优点。

主权项

一种特质ε‑HNIW晶体，其特征在于：所述晶体HNIW含量≥99.5wt％；ε‑HNIW含量≥95.0wt％；晶体密度≥2.033g/cm³，外观观测无尖锐棱角，晶面无裂纹，晶间无包夹物；晶体短长轴比≥0.75，投影面积周长比≥0.80；粒度分布在150～300μm之间的晶体含量占总量的50～80wt％。