发明名称 | 一种电磁道岔 | ||
摘要 | 本发明公开了一种电磁道岔,包括:第一单永磁轨道L1、第二单永磁轨道L2、道岔轨道L3、第一双永磁轨道L4和第二双永磁轨道L5;L1和L2均包括一个永磁轨道组;永磁轨道组包括N块永磁体,磁化方向为第一磁化方式;L3至少包括3块电磁铁,并根据控制指令切换为第一状态或第二状态;L4包括P块永磁体,从左至右第1~N块永磁体的磁化方向为第一磁化方式,第(P-N+1)~P块永磁体的磁化方向为第一磁化方式;L5包括两个永磁轨道组,两个永磁轨道组之间间隔一块磁体大小的空位;L1、L2、L3、L4和L5按顺序依次排列,且各个轨道的中心点在同一条直线上。通过使用本发明所提供的电磁道岔,可以无需进行机械移动即可实现道岔换向的功能。 | ||
申请公布号 | CN105696430A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
申请号 | CN201610179958.0 | 申请日期 | 2016.03.24 |
申请人 | 西南交通大学 | 发明人 | 李燕杰;邓自刚;张娅;郑珺 |
分类号 | E01B25/34(2006.01)I | 主分类号 | E01B25/34(2006.01)I |
代理机构 | 北京市京大律师事务所 11321 | 代理人 | 王凝;金凤 |
主权项 | 一种电磁道岔,其特征在于,该电磁道岔包括:第一单永磁轨道L1、第二单永磁轨道L2、道岔轨道L3、第一双永磁轨道L4和第二双永磁轨道L5;所述L1和L2均包括一个永磁轨道组;所述永磁轨道组包括N块永磁体,所述永磁轨道组中的N块永磁体的磁化方向均为第一磁化方式;所述L3包括M块磁体,所述M块磁体包括3块电磁铁和(M‑3)块永磁体;所述3块电磁铁位于所述L3的中部,各块电磁铁的磁极嵌入永磁轨道内,且各块电磁铁垂直于L3;所述(M‑3)块永磁体平均设置在所述3块电磁铁的两侧;所述3块电磁铁根据控制指令切换为第一状态或第二状态;当所述3块电磁铁处于第一状态时,所述L3从左至右第1~N块磁体的磁化方向为第一磁化方式;当所述3块电磁铁处于第二状态时,所述L3从左至右第(M‑N+1)~M块磁体的磁化方向为第一磁化方式;所述L4包括P块永磁体;所述P块永磁体中的从左至右第1~N块永磁体的磁化方向为第一磁化方式,第(P‑N+1)~P块永磁体的磁化方向为第一磁化方式;所述L5包括两个永磁轨道组,两个永磁轨道组之间间隔一块磁体大小的空位;所述L1、L2、L3、L4和L5按顺序依次排列,且各个轨道的中心点在同一条直线上;其中,所述N、M和P均为自然数,且N<M<P<(2N+1)。 | ||
地址 | 610031 四川省成都市二环路北一段111号 |