一种晶体硅太阳能电池减反射膜及其制备工艺

摘要

本发明是一种晶体硅太阳能电池的减反射膜及其制备工艺，该减反射膜的总厚度为80-95nm，折射率为1.8-2.05；该减反射膜由至少五层膜构成，且总层数为奇数，奇数层均为二氧化硅膜，折射率为1.4-1.7；其中，偶数层均为氮化硅膜，位于减反射膜第二层的氮化硅膜折射率最大，其折射率为2.15-2.25，下一层氮化硅膜的折射率依次比上一层氮化硅膜的折射率低0.05-0.25；各层膜的厚度根据反射膜的总厚度及总层数进行设定，二氧化硅膜的厚度为5-50nm，氮化硅膜的厚度为5-50nm。本发明的减反射膜具有优良的致密性和抗PID衰减性能，能显著减低太阳能电池的反射率，提高电池的光电转化效率。

主权项

一种晶体硅太阳能电池减反射膜，该减反射膜的总厚度为80‑95nm，折射率为1.8‑2.05；该减反射膜由至少五层膜构成，且总层数为奇数，其中，第一层膜沉积在硅片表面，第二层膜沉积在第一层膜表面，第三层膜沉积在第二层膜表面，第四层膜沉积在第三层膜表面，第五层膜沉积在第四层膜表面，更多层膜以此类推；其中，奇数层均为二氧化硅膜，折射率为1.4‑1.7；其中，偶数层均为氮化硅膜，位于减反射膜第二层的氮化硅膜折射率最大，其折射率为2.15‑2.25，下一层氮化硅膜的折射率依次比上一层氮化硅膜的折射率低0.05‑0.25；其中，各层膜的厚度根据反射膜的总厚度及总层数进行设定，二氧化硅膜的厚度为5‑65nm，氮化硅膜的厚度为10‑80nm；其特征在于：该减反射膜由五层膜构成，其中第一层膜为二氧化硅膜，其厚度为5‑20nm，折射率为1.4‑1.7；第二层膜为氮化硅膜，其厚度为10‑30nm，折射率为2.15‑2.25；第三层膜为二氧化硅膜，其厚度为5‑15nm，折射率为1.4‑1.7；第四层膜为氮化硅膜，其厚度为30‑50nm，折射率为2.0‑2.1；第五层膜为二氧化硅膜，其厚度为10‑30nm，折射率为1.4‑1.7。