单晶硅晶片的制造方法及电子器件

摘要

本发明是一种单晶硅晶片的制造方法，该方法通过对单晶硅晶片进行使用快速加热、快速冷却装置在含氧气氛下以第一热处理温度保持1～60秒之后，以1～100℃/秒的降温速度冷却至800℃以下的第一热处理，而使氧在内部扩散以在上述单晶硅晶片的表面附近形成氧浓度峰值区域，之后，通过进行第二热处理，而使上述单晶硅晶片内的氧凝聚于上述氧浓度峰值区域。由此，提供一种能够制造形成有靠近器件形成区域的良好的吸杂层的单晶硅晶片的方法。

主权项

一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，通过对单晶硅晶片进行第一热处理，该第一热处理是使用快速加热、快速冷却装置在含氧气氛下以第一热处理温度保持1～60秒之后以1～100℃/秒的降温速度冷却至800℃以下，而使氧在内部扩散以在上述单晶硅晶片的表面附近形成氧浓度峰值区域，之后，通过进行第二热处理，而使上述单晶硅晶片内的氧凝聚在上述氧浓度峰值区域；决定上述第一和第二热处理的条件，并以该所决定的条件进行上述第一和第二热处理，上述第一和第二热处理的条件如下：预先测定上述第一热处理后的单晶硅晶片以及上述第一和第二热处理后的单晶硅晶片或在上述第一和第二热处理后进行了氧析出物明显化热处理的单晶硅晶片的氧浓度量变曲线，并使上述第一和第二热处理后的单晶硅晶片或在第一和第二热处理后进行了氧析出物明显化热处理的单晶硅晶片的氧浓度量变曲线的半幅值，小于上述第一热处理后的单晶硅晶片的氧浓度量变曲线的半幅值。