发明名称 三元半导体量子点∕石墨烯功能复合材料及其制备方法
摘要 本发明涉及一种三元半导体量子点/石墨烯功能复合材料,所述三元半导体量子点分子式为CdSe<sub>x</sub>Te<sub>1-x</sub>、CdS<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub>或Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1-x</sub>S,其中0.2≤x≤0.8,它为采用以下步骤所得产物:1)制备三元半导体量子点;2)表面功能化修饰的三元半导体量子点;3)制备三元半导体量子点/石墨烯功能复合材料:向氧化石墨烯的水分散液中加入交联剂,然后加入表面功能化修饰的三元半导体量子点,反应得到三元半导体量子点/氧化石墨烯复合材料,水合肼还原得到三元半导体量子点/石墨烯功能复合材料。该功能复合材料光谱响应范围广,有效地扩展了石墨烯基复合材料的光吸收范围。
申请公布号 CN104477854B 申请公布日期 2016.06.22
申请号 CN201410654367.5 申请日期 2014.11.17
申请人 武汉理工大学 发明人 雷芸;徐骏;陈菲菲;何跃
分类号 C01B19/00(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I 主分类号 C01B19/00(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 乔宇
主权项 一种三元半导体量子点/石墨烯功能复合材料的制备方法,其特征在于,所述三元半导体量子点分子式为CdSe<sub>x</sub>Te<sub>1‑x</sub>、CdS<sub>x</sub>Se<sub>1‑x</sub>或Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1‑x</sub>S,其中0.2≤x≤0.8,步骤如下:1)制备三元半导体量子点:根据所述CdSe<sub>x</sub>Te<sub>1‑x</sub>、CdS<sub>x</sub>Se<sub>1‑x</sub>或Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1‑x</sub>S化学计量比称取含Cd、Se、Te、Zn或S的原料,将原料溶于溶剂中混合均匀后得到前驱体,将前驱体倒入反应釜中采用溶剂热法于120‑140℃反应12h制备三元半导体量子点CdSe<sub>x</sub>Te<sub>1‑x</sub>、CdS<sub>x</sub>Se<sub>1‑x</sub>或Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1‑x</sub>S;2)将步骤1)所制备的三元半导体量子点CdSe<sub>x</sub>Te<sub>1‑x</sub>、CdS<sub>x</sub>Se<sub>1‑x</sub>或Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1‑x</sub>S加入二硬脂酰基磷脂酰乙醇胺‑聚乙二醇的氯仿溶液中进行修饰,处理得到表面功能化修饰的三元半导体量子点;3)向氧化石墨烯的水分散液中加入交联剂,然后加入表面功能化修饰的三元半导体量子点,于0‑4℃搅拌反应10‑12小时,得到三元半导体量子点/氧化石墨烯复合材料,再用水合肼还原得到三元半导体量子点/石墨烯功能复合材料;其中步骤3)所述交联剂由1‑(3‑二甲氨基丙基)‑3‑乙基碳二亚胺盐酸盐与N‑羟基硫代琥珀酰亚胺按摩尔比1:1混合而成;所述交联剂的物质的量和氧化石墨烯的质量的比例为1mol:0.1‑0.3g。
地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号