| 发明名称 | 一种体声波器件及集成结构 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种体声波器件，采用包含绝缘层的衬底，在绝缘层一侧的半导体材料中具有空腔，在该层半导体材料的空腔之上依次具有底电极、压电薄膜和顶电极。本申请的体声波器件同样是基于包含绝缘层的衬底，但是结构最为简单，而且不用改变现有基于体硅衬底的体声波器件制造工艺即可实现。 | ||
| 申请公布号 | CN105703736A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610105113.7 | 申请日期 | 2016.02.25 |
| 申请人 | 锐迪科微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 祝明国;李平;孙成龙;王小茹;彭波华;胡念楚;贾斌 |
| 分类号 | H03H9/17(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/17(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人 | 殷晓雪 |
| 主权项 | 一种体声波器件，其特征是，采用包含绝缘层的衬底，在绝缘层一侧的半导体材料中具有空腔，在该层半导体材料的空腔之上依次具有底电极、压电薄膜和顶电极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路690号四号楼6F | ||