一种新型垂直结构芯片及其制备方法

摘要

本发明提供了一种新型垂直结构芯片，该垂直结构芯片由中心区域、边缘区域以及沟槽区域构成，其中，中心区域从下到上依次包括：目标衬底、第一P面金属层、P型GaN层、活性层、N型GaN层以及N电极；边缘区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层、绝缘层、N型GaN层以及N电极；沟槽区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层；绝缘层位于边缘区域中的N型GaN层和第二P面金属层之间、以及位于中心区域中的P型GaN层和活性层的侧壁；N电极位于N型GaN层的表面、以及位于N型GaN层的侧壁。其在N型GaN层的侧壁，该区域的N电极能够增强电流扩展，使电流能够更加均匀地从芯片四周注入，提高了发光效率。

主权项

一种新型垂直结构芯片，其特征在于，所述垂直结构芯片由中心区域、位于所述中心区域四周的边缘区域以及位于所述边缘区域四周的沟槽区域构成，其中，所述中心区域从下到上依次包括：目标衬底、第一P面金属层、P型GaN层、活性层、N型GaN层以及N电极；所述边缘区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层、绝缘层、N型GaN层以及N电极；所述沟槽区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层；所述绝缘层位于所述边缘区域中的N型GaN层和第二P面金属层之间、以及位于所述中心区域中的P型GaN层和活性层的侧壁；所述N电极位于所述N型GaN层的表面、以及位于所述N型GaN层的侧壁。