一种发光半导体器件

摘要

一种发光半导体器件，包括在基材上设置的反射层，以有机金属化学气相沉积法在一基材上形成半导体层，半导体层自下而上由第四化合物层、第三量子阱层、第三化合物层、第二量子阱层、第二化合物层、第一量子阱层、第一化合物层、依次用有机金属化学气相沉积法形成，第四化合物层成型在反射层上，化合物层采用n型半导体与p型半导体间隔排列，上电极形成于透明导电层上，下电极形成于第四化合物层上。本实用新型通过量子阱结构多层的设置克服了传统发光器件光源效果单一的问题，同时通过各层之间的合理厚度设置，故借助不同层级的厚度材质不同设计，可以实现多光源混色的效果。

主权项

一种发光半导体器件，包括在基材上设置的反射层，其特征在于：以有机金属化学气相沉积法在一基材上形成半导体层，半导体层自下而上由第四化合物层、第三量子阱层、第三化合物层、第二量子阱层、第二化合物层、第一量子阱层、第一化合物层依次用有机金属化学气相沉积法形成，第四化合物层成型在反射层上，化合物层采用n型半导体与p型半导体间隔排列，上电极形成于透明导电层上，下电极形成于第四化合物层上。