| 发明名称 | 一种无机纳滤膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种无机纳滤膜及其制备方法，所述无机纳滤膜包括第一碳化硅层和SiC多孔基体，所述第一碳化硅层是由Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>胶体在所述SiC多孔基体的表面高温烧结后形成；所述Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>胶体是以Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>粉末作为反应源的胶体。本发明提出一种孔径在2-5nm、粘结强度大于5MPa的无机纳滤膜，且其膜的颗粒形貌圆润规则，分离效率大大的提高，所述无机纳滤膜的制备依次通过胶体涂覆、干燥、一次烧、真空保温以及二次烧结获得，所制的纳滤膜的颗粒形貌圆润规则，与支撑体材料粘结强度高。 | ||
| 申请公布号 | CN105693286A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610072176.7 | 申请日期 | 2016.02.02 |
| 申请人 | 武汉梦华洁膜科技有限责任公司 | 发明人 | 季家友;徐慢;沈凡;曹宏;陈常连;王树林;薛俊;石和彬 |
| 分类号 | C04B41/87(2006.01)I;B01D71/02(2006.01)I;B01D69/12(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I | 主分类号 | C04B41/87(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 巩克栋;侯潇潇 |
| 主权项 | 一种无机纳滤膜，其特征在于：包括第一碳化硅层和SiC多孔基体，所述第一碳化硅层是由Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>胶体在所述SiC多孔基体的表面高温烧结后形成；所述Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>胶体是以Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>粉末作为反应源的胶体。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市东湖高新区武汉工程大学流芳校区武汉化工新材料工业技术研究院中试基地01室 | ||