| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括单元区域和外围区域，所述半导体器件还包括：保护环区域，其设置在所述单元区域与所述外围区域之间，并且所述保护环区域具有阻挡结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102237393B | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201010259745.1 | 申请日期 | 2010.08.19 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李东根;金成贤 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 一种包括单元区域和外围区域的半导体器件，所述半导体器件包括：所述单元区域，其包括第一有源区和第一器件隔离结构；所述外围区域，其包括第二器件隔离结构；保护环区域，所述保护环区域包括设置在所述单元区域与所述外围区域之间的第二有源区；以及阻挡栅极，其位于所述保护环区域的所述第二有源区中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||