发明名称 |
使用脉冲偏压清洗撷取电极组件的方法 |
摘要 |
揭示用于改进离子源的性能且延长其使用寿命的系统和方法。所述离子源包含离子源腔室、抑制电极和接地电极。在处理模式中,所述离子源腔室可被偏压到第一正电压,而所述抑制电极被偏压到负电压以经由孔径且朝向工件从所述腔室内吸引正离子。在清洗模式中,离子束散焦以使得其撞击所述抑制电极和所述接地电极。施加到所述离子源腔室和所述电极的电压被脉冲化以将这清洗模式期间的故障的可能性减到最小。 |
申请公布号 |
CN105684130A |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201480058775.2 |
申请日期 |
2014.10.09 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
克里斯多夫·J·里维特;彼得·F·库鲁尼西 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
李艳;臧建明 |
主权项 |
一种离子源,包括:离子源腔室,用于在处理模式期间产生处理电浆且在清洗模式期间产生清洗电浆,所述离子源腔室具有撷取孔径;抑制电极,具有抑制电极孔径,所述抑制电极设置于接近所述撷取孔径,其中在所述清洗模式期间从所述撷取孔径撷取的离子束散焦以便撞击所述抑制电极;以及偏压系统,经配置以在所述清洗模式期间周期性地阻止所述离子束撞击所述抑制电极,且在所述离子束被周期性地阻止时将所述抑制电极和所述离子源腔室接地。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 |