发明名称 |
一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置及方法 |
摘要 |
本发明公开了一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置,所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面,该装置包括电解池,设于所述导电基底层底面的背电极,设于所述纳米线阵列对应侧的对电极,以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线区域的绝缘层;所述纳米线阵列和所述对电极浸入所述电解池中的电解液内,同时所述导电基底层和所述背电极与所述电解液绝缘设置,最后在所述背电极和所述对电极之间加上偏压<i>U</i>形成电解池回路结构,其优点在于,本发明测量纳米线阵列比表面积和密集度的方法为无损测量,同时适用于大面积一维纳米结构阵列的比表面积和密集度测量,且不会破坏纳米线阵列的完整性。 |
申请公布号 |
CN104075973B |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201410235322.4 |
申请日期 |
2014.05.30 |
申请人 |
苏州大学 |
发明人 |
李孝峰;吴绍龙;程国安;詹耀辉;杨阵海;曹国洋 |
分类号 |
G01N15/08(2006.01)I |
主分类号 |
G01N15/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京康盛知识产权代理有限公司 11331 |
代理人 |
伊美年 |
主权项 |
一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置,所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面,其特征在于,该装置包括电解池,设于所述导电基底层底面的背电极,设于所述纳米线阵列对应侧的对电极,以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线区域的绝缘层;所述纳米线阵列和所述对电极浸入所述电解池中的电解液内;所述电解液的电阻率是被测纳米线阵列电阻率的1/1000以下;同时所述导电基底层和所述背电极与所述电解液绝缘设置,最后在所述背电极和所述对电极之间加上偏压U形成电解池回路结构。 |
地址 |
215000 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |