| 发明名称 | 具有降低的接通电阻的半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置，其具有位于第一导电类型的高度掺杂的衬底上的第一导电类型的外延层、施加到所述外延层中的第二导电类型的层和设置在第二导电类型的层的表面上的高度掺杂的第二导电类型的层。在第二导电类型的层和第一导电类型的高度掺杂的衬底之间设置有外延层区域中的多个彼此平行地设置的肖特基接触部，其在浮动状态中。 | ||
| 申请公布号 | CN103339730B | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201180066235.5 | 申请日期 | 2011.12.02 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | 渠宁;A·格拉赫 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 郭毅 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其具有位于第一导电类型的高度掺杂的衬底(1)上的第一导电类型的外延层(2)、施加到所述外延层(2)中的第二导电类型的层(6)和设置在所述第二导电类型的层(6)的表面上的高度掺杂的第二导电类型的层(7)，其特征在于，在所述第二导电类型的层(6)和所述第一导电类型的高度掺杂的衬底(1)之间设置有多个设置在至少一个沟道(3)中并且在朝向所述高度掺杂的衬底的方向上平行于所述高度掺杂的衬底地且彼此平行地设置的、浮动的肖特基接触部(70，12)。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||