发明名称 一种基于REBCO模版的SERS基底及制备方法
摘要 本发明公开了一种基于REBCO模版的SERS基底及其制备方法,所述SERS基底包括REBCO模版层及所述REBCO模版层外表镀覆的金属修饰层;其中,所述REBCO模版层的厚度在10~2000nm连续可调,结构从非晶到多晶,a、b轴取向及c轴取向或混合取向任意可调;所述金属修饰层为金属薄膜或者金属颗粒层;所述金属修饰层的厚度为5~200nm。本发明的基底及其制备方法与现有技术相比,优势在于:利用本发明制备的SERS基底均一性好,灵敏度高,且具有金属柔性特征,可满足多种应用需求;REBCO生长机理和生长方法已被大量研究,精确控制下的产业化生产容易实现;同时本发明的制备方法简单,生长过程中的实验参数相对化学方法更加容易控制,产业化制备成本可以低于0.5$/cm<sup>2</sup>。
申请公布号 CN105671492A 申请公布日期 2016.06.15
申请号 CN201610031709.7 申请日期 2016.01.18
申请人 上海交通大学 发明人 王斌斌;刘林飞;李贻杰;吴祥;姚艳婕;王梦麟
分类号 C23C14/28(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I 主分类号 C23C14/28(2006.01)I
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人 郭国中
主权项 一种基于REBCO模版的SERS基底,其特征在于,所述SERS基底包括REBCO模版层及所述REBCO模版层外表镀覆的金属修饰层;其中,所述REBCO模版层的厚度在10~2000nm连续可调,结构从非晶到多晶,a、b轴取向及c轴取向或混合取向任意可调;所述金属修饰层为金属薄膜或者金属颗粒层;所述金属修饰层的厚度为5~200nm。
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