阵列基板及阵列基板的制备方法

摘要

本发明提供一种阵列基板及阵列基板的制备方法。阵列基板包括基板及设置在基板同侧的交错且绝缘设置的多个栅极线及多个数据线，以及多个与栅极线平行且与数据线绝缘的多个公共电极线，基板包括第一表面，栅极线设置在第一表面上，相邻的两条栅极线及相邻的两条数据线之间限定一个像素区域，像素区域内设置薄膜晶体管，公共电极，像素电极及存储电容，薄膜晶体管包括栅极、沟道层、源极及漏极，存储电容包括第一导电部及第二导电部，栅极、公共电极线、公共电极及第一导电部设置在第一表面，且公共电极与公共电极线电连接，沟道层、源极漏极、第二导电部及像素电极设置在第一绝缘层上且源极与漏极设置在沟道层相对的两端，且像素电极为金属层。

主权项

一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板及设置在所述基板同侧的多个栅极线及多个数据线，所述基板包括第一表面，所述多个栅极线设置在所述第一表面上，且所述多个栅极线向第一方向延伸且沿第二方向间隔排布，所述多个数据线与所述多个栅极线通过第一绝缘层绝缘设置，且所述多个数据线向所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔排布，所述阵列基板还包括多个公共电极线，所述多个公共电极线与所述多个栅极线平行，一个公共电极线设置于相邻的两个栅极线之间，且所述公共电极线与所述数据线通过所述第一绝缘层绝缘设置，相邻的两条栅极线及相邻的两条数据线之间限定一个像素区域，所述阵列基板还包括设置在所述像素区域内的薄膜晶体管，公共电极，像素电极及存储电容，所述薄膜晶体管包括栅极、所述第一绝缘层、沟道层、源极及漏极，所述栅极设置在所述第一表面上，所述公共电极与所述公共电极线电连接且所述公共电极与所述公共电极线设置在所述第一表面上，所述存储电容包括第一导电部及第二导电部，所述第一导电部设置在所述第一表面上，所述第一导电部上设置所述第一绝缘层，所述第二导电部设置在所述第一绝缘层上且与所述第一导电部对应，所述沟道层、所述源极及所述漏极设置在所述第一绝缘层上且所述源极与所述漏极设置在所述沟道层相对的两端，所述像素电极设置在所述第一绝缘层上，且所述像素电极为金属层，用于反射入射至所述像素电极的光线，一第二绝缘层覆盖所述沟道层、所述源极、所述漏极、所述像素电极、所述第二部分及所述数据线。