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Ein Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung umfasst einen Schritt (S1) zum Herstellen eines Siliziumkarbid-Substrats (100), das eine erste Hauptfläche (P1) und eine zweite Hauptfläche (P2), die der ersten Hauptfläche (P1) gegenüberliegt, aufweist, einen Schritt (S2) zum Bilden eines dotierten Gebiets in dem Siliziumkarbid-Substrat (100), indem die erste Hauptfläche (P1) mit einer Verunreinigung dotiert wird, einen Schritt (S3) zum Bilden eines ersten Schutzfilms (10) auf der ersten Hauptfläche (P1), und einen Schritt (S4) zum Bilden eines zweiten Schutzfilms (20) auf der zweiten Hauptfläche (P2), wobei der Schritt (S3) zum Bilden eines ersten Schutzfilms (10) nach dem Schritt (S2) zum Bilden eines dotierten Gebiets durchgeführt wird, wobei das Verfahren ferner einen Schritt (S5) zur Aktivierung der in dem dotierten Gebiet enthaltenen Verunreinigung durch Glühen umfasst, wobei wenigstens ein Abschnitt der ersten Hauptfläche (P1) mit dem ersten Schutzfilm (10) bedeckt wird, und wenigstens ein Abschnitt der zweiten Hauptfläche (P2) mit dem zweiten Schutzfilm (20) bedeckt wird. |
