一种SONOS闪存存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种SONOS闪存存储器的结构，该存储器由一个选择管和一个存储管构成，该闪存存储器的存储管由ONO层和多晶硅栅组成；该闪存存储器的选择管由中压氧化层和多晶硅栅组成；存储管和选择管之间距离很小，存储管多晶硅栅到选择管多晶硅栅的距离为0.06～0.16μm；存储管多晶硅栅和选择管多晶硅栅上方有侧壁氧化层和氮化硅层；存储管多晶硅栅和选择管多晶硅栅的侧壁有氮化硅侧墙。此外，本发明还公开了该SONOS闪存存储器的制造方法。本发明能够有效的缩小存储单元的面积。

主权项

一种SONOS闪存存储器的结构，该存储器由一个选择管和一个存储管构成，其特征在于，该闪存存储器的存储管由ONO层和多晶硅栅组成；该闪存存储器的选择管由中压氧化层和多晶硅栅组成；存储管和选择管之间距离很小，存储管多晶硅栅到选择管多晶硅栅的距离为0.06～0.16μm；存储管多晶硅栅和选择管多晶硅栅上方有侧壁氧化层和氮化硅层；存储管多晶硅栅和选择管多晶硅栅的侧壁有氮化硅侧墙；所述存储管多晶硅栅和所述选择管多晶硅栅上方的氮化硅层在所述存储管多晶硅栅和所述选择管多晶硅栅之间的间隔区域上方形成有沟槽，所述存储管多晶硅栅和选择管多晶硅栅上方的侧壁氧化层通过淀积加刻蚀工艺自对准形成于所述沟槽的侧面，所述存储管多晶硅栅和所述选择管多晶硅栅的间隔大小由所述存储管多晶硅栅和选择管多晶硅栅上方有侧壁氧化层的间隔自对准定义，所述存储管多晶硅栅和所述选择管多晶硅栅采用同一个多晶硅层刻蚀后形成，且所述存储管多晶硅栅和所述选择管多晶硅栅的间隔区域通过对所述侧壁氧化层的间隔底部的多晶硅层刻蚀后形成。