发明名称 选择性腐蚀石英晶片的装置
摘要 本发明涉及一种选择性腐蚀石英晶片的装置,包括由耐腐蚀材料制成的上、下夹板,上夹板下端面与下夹板上端面上有相互配合的平面区域,下夹板上端面的平面区域开有数个与晶体方片形成配合的模腔,上、下夹板上分别开有与晶体方片上、下端待腐蚀区域相通的腐蚀孔,腐蚀孔的形状与晶体方片待腐蚀区域形状相同。本发明结构简单,装配方便,可以满足石英晶片深度腐蚀的要求,与曝光掩膜法相比,具有加工工序短、操作简单的优点,可以大幅度降低晶片加工成本。
申请公布号 CN102904540B 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201210361063.0 申请日期 2012.09.25
申请人 铜陵晶越电子有限公司 发明人 唐劲;张帮岭
分类号 H03H3/04(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I 主分类号 H03H3/04(2006.01)I
代理机构 合肥诚兴知识产权代理有限公司 34109 代理人 汤茂盛
主权项 选择性腐蚀石英晶片的装置,包括由耐腐蚀材料制成的上、下夹板(1、2),其特征是:上夹板(1)下端面与下夹板(2)上端面上有相互配合的平面区域,下夹板(2)上端面的平面区域开有数个与晶体方片形成配合的模腔,上、下夹板(1、2)上分别开有与晶体方片上、下端待腐蚀区域相通的腐蚀孔(11、21),腐蚀孔(11、21)的形状与晶体方片待腐蚀区域形状相同;上、下夹板(1、2)的边缘设有相互配合的凸起(12、22)或凹槽,用来形成防止腐蚀液由上、下夹板四周渗入中间平面区域的配合面;上、下夹板(1、2)的边缘对应位置开有定位孔(4)。
地址 244000 安徽省铜陵市经济技术开发区翠湖2路1258号