一种基于发光技术的非晶半导体SiO₂薄膜电子迁移率的测量方法

摘要

一种基于发光技术的非晶半导体SiO₂薄膜电子迁移率的测量方法，制作一种固态阴极射线发光器件，非晶半导体SiO₂薄膜为电子加速层，发光材料为有机高分子聚合物。在器件两电极施加单向矩形脉冲电压，正极接有机发光材料薄膜，负极接非晶半导体SiO₂薄膜；脉冲电压值（高度）V，先用较窄脉宽（高频），然后改变脉宽t，逐步增大脉宽，直至有机发光体发光时的脉宽，即电子跨越非晶半导体SiO₂薄膜的跨越时间。由即导出迁移率的值，其中d为非晶半导体SiO₂薄膜的厚度，为有机发光薄膜的厚度。

主权项

一种基于发光技术的非晶半导体SiO₂薄膜电子迁移率的测量方法，其特征是，可以采用以下步骤：（1）制备固态阴极射线发光器件：取基片ITO玻璃清洗干净，烘干箱中干燥后，依次在ITO玻璃上用电子束热蒸发方法制备非晶半导体SiO₂薄膜，用甩膜技术制备发光层，用热蒸发技术制备Al背电极；（2）在非晶半导体SiO₂薄膜/有机发光材料薄膜两边通过电极施加电场，电场用单向矩形脉冲（方波）电源提供，正极接有机发光材料薄膜，负极接非晶半导体SiO₂薄膜，脉冲电压值（高度）V，先用较窄脉宽（高频），然后改变脉宽t，逐步增大脉宽，直至有机发光体发光时的脉宽，即电子跨越非晶半导体SiO₂薄膜的跨越时间；（3）由公式，其中为平均漂移速度，为电场强度，为迁移率，而，其中d为非晶半导体SiO₂薄膜的厚度，为有机发光薄膜的厚度，V为脉冲电压值（高度），，其中为电子跨越非晶半导体SiO₂薄膜的跨越时间，所以即得出待测非晶半导体SiO₂薄膜电子迁移率。