发明名称 一种有机半导体材料的制备方法
摘要 本发明提供了一种有机半导体材料,所述有机半导体材料的化学式如下所示:<img file="DDA0000928317480000011.GIF" wi="770" he="278" />其中,R为C<sub>1</sub>~C<sub>20</sub>的烷基,n为10~100的整数,本发明提供有机半导体材料同时具有空穴传输性质和电子传输性质,使在发光层中空穴和电子的传输平衡,还具有较高的三线态能级,三线态能级大于2.78eV,有效的防止发光过程中能量回传给主体材料,大大提高发光效率。该有机半导体材料采用了较简单的合成路线,减少了工艺流程,原材料价廉易得,制造成本得到降低。
申请公布号 CN105646852A 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201610101976.7 申请日期 2013.01.31
申请人 王莎莎 发明人 不公告发明人
分类号 C08G61/12(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I 主分类号 C08G61/12(2006.01)I
代理机构 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙) 44324 代理人 邓扬
主权项 一种有机半导体材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供化合物A:<img file="FDA0000928317450000011.GIF" wi="729" he="254" />和化合物B:<img file="FDA0000928317450000012.GIF" wi="374" he="197" />其中,R为C<sub>1</sub>~C<sub>20</sub>的烷基;在惰性气氛下,将化合物A与化合物B按照摩尔比为1∶1~1∶1.2添加入含有催化剂和碱溶液的有机溶剂中,在70~130℃下进行Suzuki耦合反应12~96小时,所述催化剂为有机钯或为有机钯与有机磷配体的混合物,得到如下结构式表示的有机半导体材料P:<img file="FDA0000928317450000013.GIF" wi="740" he="286" />其中,n为10~100的整数。
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