一种碳化硅晶片的抛光液

摘要

本发明一种碳化硅晶片的抛光液，其中各组分所占重量百分比为：二氧化硅抛光液10-30%，粒径为50-100nm；纳米级金刚石研磨液0.1-10%，粒径为50-200nm；辅助氧化剂3-20%；pH调节剂0.5-10%；去离子水为余量；混合后的所述碳化硅晶片的抛光液pH值范围为7-9。适用于对SiC晶片进行化学机械抛光。该抛光液的特点是去除速率快（可在1-3小时内完成）、加工出的碳化硅晶片较光亮，表面强光灯观测无明显划痕且平整、均匀，表面粗糙度经原子力显微镜检测可稳定达到＜0.3nm。

主权项

一种碳化硅晶片的抛光液，其特征在于，其中各组分所占重量百分比为：二氧化硅抛光液10‑30%，粒径为50‑100nm；纳米级金刚石研磨液0.1‑10%，粒径为50‑200nm；辅助氧化剂3‑20%；pH调节剂0.5‑10%；去离子水为余量；混合后的所述碳化硅晶片的抛光液pH值范围为7‑9。