| 发明名称 | MOSFET阈值电压波动模型的提取方法及装置 | ||
| 摘要 | 一种MOSFET阈值电压波动模型的提取方法及装置，所述方法包括：选取一MOSFET，所选取的MOSFET阈值电压相对设计目标值的偏移量为Vt’；在所选取的MOSFET栅极施加预设的调节电压，其他各电极施加相应的工作电压，提取所选取的MOSFET在所述调节电压下对应的阈值电压波动模型。应用所述方法及装置可以提高MOSFET阈值电压波动模型的准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN105653823A | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201610067356.6 | 申请日期 | 2016.01.29 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 高超;孔蔚然 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张凤伟;吴敏 |
| 主权项 | 一种MOSFET阈值电压波动模型的提取方法，其特征在于，包括：选取一MOSFET，所选取的MOSFET阈值电压相对设计目标值的偏移量为Vt’；在所选取的MOSFET栅极施加预设的调节电压，其他各电极施加相应的工作电压，提取所选取的MOSFET在所述调节电压下对应的阈值电压波动模型。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||