PN结构的掺杂方法

摘要

本发明公开了一种PN结构的掺杂方法，其包括：步骤S₁、通过离子注入的方式将掺杂离子注入至一基底的表面中和/或背面中得到一PN结构；步骤S₂、使用一第一洗液清洗该PN结构，该第一洗液用于去除溅射至该基底的表面上、背面上或侧面上的掺杂离子形成的掺杂杂质；步骤S₃、对经过清洗的该PN结构进行退火处理。在本发明在离子注入后和退火激活工艺之前，增加一道非常简单、成本低廉的清洗工序，去除了意外溅射至该基底各个表面上的掺杂杂质，保证了该PN结构的性能，避免了边结漏电的引入。

主权项

一种PN结构的掺杂方法，其特征在于，其包括：步骤S₁、通过离子注入的方式将掺杂离子注入至一基底的正面中和/或背面中得到一PN结构；步骤S₂、使用一第一洗液清洗该PN结构，该第一洗液用于去除溅射至该基底的正面上、背面上或侧面上的掺杂离子形成的不必要的杂质；步骤S₃、对经过清洗的该PN结构进行退火处理，该第一洗液为碱性溶液、双氧水和去离子水的混合溶液，该碱性溶液为氢氧化铵溶液，其中该氢氧化铵溶液、该双氧水以及去离子水的体积比为1:1:2～1:2:10，其中，该氢氧化铵溶液的浓度为28‑32％，该双氧水的浓度为30‑32％，去离子水的电阻率不低于15MΩ；或者，该碱性溶液为四甲基氢氧化铵溶液，其中该四甲基氢氧化铵溶液、该双氧水以及去离子水的体积比为1:1:2～1:2:10，其中，该四甲基氢氧化铵溶液的摩尔浓度等同于质量百分比浓度为28‑32％的氢氧化铵溶液的摩尔浓度，该双氧水的浓度为30‑32％，去离子水的电阻率不低于15MΩ；或者，该碱性溶液为氢氧化钠溶液，其中该氢氧化钠溶液、该双氧水以及该去离子水的体积比为1:1:5‑1:2:30，其中该氢氧化钠溶液的浓度为10％，该双氧水的浓度为30‑32％，该去离子水的电阻率不低于15MΩ；或者，该碱性溶液为氢氧化钾溶液，该氢氧化钾溶液、该双氧水以及该去离子水的体积比为1:1:5‑1:2:30，其中该氢氧化钾溶液的浓度为10％，该双氧水的浓度为30‑32％，该去离子水的电阻率不低于15MΩ，其中百分号表示质量百分比。