| 发明名称 | p-掺杂硅层 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于制造p-掺杂硅层，尤其是由液体含硅烷配制品制成的那些硅层的方法。本发明还涉及涂有p-掺杂硅层的衬底。此外，本发明涉及基于硼化合物的特定掺杂物用于硅层的p-掺杂的用途。 | ||
| 申请公布号 | CN103069544B | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201180042652.6 | 申请日期 | 2011.08.19 |
| 申请人 | 赢创德固赛有限公司 | 发明人 | S.韦伯;M.帕茨;H.施蒂格;J.莱姆库尔 |
| 分类号 | H01L21/228(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C07F9/50(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/228(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 石克虎;林森 |
| 主权项 | 用于制造至少一层布置在衬底上的p‑掺杂硅层的方法，其包括以下步骤：(a) 提供衬底，(b) 提供配制品，所述配制品含有至少一种硅化合物和作为掺杂物的选自硼氢化剂的至少一种化合物，所述选自硼氢化剂的化合物选自a) 具有络合剂的BH<sub>3</sub>‑络合物，所述络合剂选自THF；NR<sub>3</sub>，其中R = H、烷基、芳基，和SR'<sub>2</sub>，其中R' = H、烷基、芳基；或b) B<sub>x</sub>C<sub>xn</sub>H<sub>2xn‑x</sub>类型的化合物，其中x = 1‑4且n = 3‑10，其通过a)中定义的BH<sub>3</sub>‑络合物与环二烯的反应制备，(c) 将所述配制品施加到衬底上，(d) 照射和/或热处理经涂覆的衬底，形成p‑掺杂的主要由硅构成的层。 | ||
| 地址 | 德国埃森 | ||