| 发明名称 | 接触孔的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种接触孔的制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成介质层和第一缓冲层；在第一缓冲层上形成多个线型的第一硬掩模层图案；在第一硬掩模层图案和第一缓冲层上形成第二缓冲层；在第二缓冲层上形成多个线型的第二硬掩模层图案；第二硬掩模层图案和第一硬掩模层图案未重叠的区域形成多个接触孔图案；在第一硬掩模层图案和第二硬掩模层图案上形成与待形成的接触孔对应的光刻胶图案；以光刻胶图案、第二硬掩模层图案和第一硬掩模层图案为掩模，依次刻蚀第二缓冲层和第一缓冲层至露出介质层，形成第一缓冲层图案；将第一缓冲层图案转移到介质层中，且去除第一缓冲层图案。本发明可以制作小尺寸的接触孔。 | ||
| 申请公布号 | CN102522371B | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201110436851.7 | 申请日期 | 2011.12.22 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 夏建慧;顾以理;奚裴;张博;张雄 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种接触孔的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成介质层和第一缓冲层；在所述第一缓冲层上形成多个线型的第一硬掩模层图案；在所述第一硬掩模层图案和所述第一缓冲层上形成第二缓冲层；在所述第二缓冲层上形成多个线型的第二硬掩模层图案；所述第二硬掩模层图案和所述第一硬掩模层图案未重叠的区域形成多个接触孔图案；在所述第一硬掩模层图案和第二硬掩模层图案上形成与待形成的接触孔对应的光刻胶图案；以所述光刻胶图案、第二硬掩模层图案和第一硬掩模层图案为掩模，依次刻蚀所述第二缓冲层和第一缓冲层至露出介质层，形成第一缓冲层图案；将第一缓冲层图案转移到介质层中，形成介质层图案，且去除所述第一缓冲层图案。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||