GaN器件的制作方法及GaN器件

摘要

本发明提供了一种GaN器件的制作方法及GaN器件。该方法包括：提供生长衬底，在生长衬底的上表面和下表面分别制作多个孔洞；在生长衬底的上表面形成外延片，外延片包括位于生长衬底的上表面孔洞上横向生长的成核层和位于成核层上的GaN器件结构；在外延片上的预定区域制作贯通外延片的第一通孔，并在第一通孔内沉积金属；提供支撑基材，将支撑基材与外延片粘合固定；对生长衬底的下表面进行减薄以去除下表面的孔洞，并在生长衬底的下表面相对第一通孔的位置制作贯通生长衬底的第二通孔，在第二通孔内沉积金属，第一通孔与第二通孔相连通；移除支撑基材。本发明能够实现GaN器件的接地通孔制作同时降低影响GaN器件性能的风险。

主权项

一种GaN器件的制作方法，其特征在于，包括：提供生长衬底，在所述生长衬底的上表面和下表面分别制作多个孔洞；在所述生长衬底的上表面形成外延片，所述外延片包括位于所述生长衬底的上表面孔洞上横向生长的成核层和位于所述成核层上的GaN器件结构；在所述外延片上的预定区域制作贯通所述外延片的第一通孔，并在所述第一通孔内沉积金属；提供支撑基材，将所述支撑基材与所述外延片粘合固定；对所述生长衬底的下表面进行减薄以去除所述下表面的孔洞，并在所述生长衬底的下表面相对所述第一通孔的位置制作贯通所述生长衬底的第二通孔，在所述第二通孔内沉积金属，所述第一通孔与所述第二通孔相连通；移除所述支撑基材。