一种不同涨落源对器件电学特性影响幅度的提取方法

摘要

本发明公开了一种不同涨落源对器件电学特性影响幅度的提取方法，属于微电子器件领域。该提取方法利用每个器件的转移曲线I_d-V_g，从曲线上提取得到各个器件的阈值电压V_th和亚阈摆幅SS；从而得到分离后的不同涨落源LER和WFV所造成的器件阈值电压V_th涨落的大小。采用本发明可以实现对涨落源影响幅度加以评估和比较，为工艺优化提供一个很好的指导方向。

主权项

一种不同涨落源对器件电学特性影响幅度的提取方法，其特征在于，包括：1)测量器件的转移曲线I_d‑V_g，从曲线上提取得到器件的阈值电压V_th和亚阈摆幅SS；2)计算V_th和SS的方差σ²(V_th)、σ²(SS)，以及V_th和SS的协方差Σ；3)由公式得到LER造成的阈值电压涨落幅度σ(δV_th,LER)；4)由公式${\sigma }^2\left({\mathrm{\delta V}}_{th,WFV}\right)={\sigma }^2\left(V_{th}\right)-{\sigma }^2\left({\mathrm{\delta V}}_{th,LER}\right)={\sigma }^2\left(V_{th}\right)-\frac{{\sigma }^2\left(SS\right)}{k^2},$得到WFV造成都阈值电压涨落幅度σ(δV_th,WFV)。