发明名称 |
半导体芯片 |
摘要 |
各种实施例涉及半导体芯片。根据各种实施例,一种半导体芯片可以包括:包括第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体区域;用于检测到半导体本体区域中的裂纹传播的电容性结构;其中电容性结构可以包括至少部分环绕半导体本体区域并且至少基本上从第一表面延伸到第二表面的第一电极区域;其中电容性结构还可以包括被布置成与第一电极区域邻近的第二电极区域以及在第一电极区域与第二电极区域之间延伸的电绝缘区域。 |
申请公布号 |
CN105655330A |
申请公布日期 |
2016.06.08 |
申请号 |
CN201510846568.X |
申请日期 |
2015.11.27 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
H·吉勒;R·普雷斯尔 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
郑立柱 |
主权项 |
一种半导体芯片,包括:半导体本体区域,包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;电容性结构,用于检测到所述半导体本体区域中的裂纹传播;其中所述电容性结构包括第一电极区域,所述第一电极区域至少部分环绕所述半导体本体区域并且至少基本上从所述第一表面延伸到所述第二表面;以及其中所述电容性结构还包括被布置成与所述第一电极区域邻近的第二电极区域以及在所述第一电极区域与所述第二电极区域之间延伸的电绝缘区域。 |
地址 |
德国诺伊比贝尔格 |