一种在硅基工艺上制作光纤对准基座阵列的方法

摘要

本发明公开了一种在硅基工艺上制作光纤对准基座阵列的方法，包括如下步骤：1.1在光刻版上画出光纤对准基座所需要的通孔阵列和尺寸；1.2使用光刻胶将光刻版上通孔阵列和尺寸在硅晶圆片上定义出来；1.3使用干法刻蚀机台刻蚀出光纤对准基座阵列的通孔；1.4使用去胶机台去除残留的光刻胶；1.5去除干法刻蚀过程中产生的刻蚀反应聚合物。本发明利用硅基半导体制造工艺具有生产精度高，体积小，产量高，工艺成熟，监控严格的优点，制造出经济且高精度的可批量生产的光纤对准基座。

主权项

一种在硅基工艺上制作光纤对准基座阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：1.1在光刻版上画出光纤对准基座所需要的通孔阵列和尺寸；所述在光刻版上按照光纤阵列的排布及尺寸画上圆孔阵列，以及区分光纤对准基座正反面的标记孔；光纤对准阵列的正面孔径尺寸大于光纤直径尺寸，光纤对准阵列的背面孔径尺寸需大于光纤对准阵列的正面孔径尺寸；所述光纤对准阵列的正面孔径为120～150微米；1.2使用光刻胶将光刻版上通孔阵列和尺寸在硅晶圆片上定义出来；使用负性光刻胶将光刻版上的图形定义到硅晶圆上，保证通孔阵列的光刻尺寸规格大于光纤直径0.3微米‑1.0微米；1.3使用干法刻蚀机台刻蚀出光纤对准基座阵列的通孔；使用光刻胶作为刻蚀阻挡层，干法刻蚀出穿过整个硅晶圆厚度的硅通孔；在干法刻蚀过程中会产生刻蚀反应聚合物，粘附在通孔内壁以及硅晶圆表面，会导致后续的光纤穿孔困难；1.4使用去胶机台去除残留的光刻胶；1.5去除干法刻蚀过程中产生的刻蚀反应聚合物。