低正向压降快恢复时间的功率二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种低正向压降快恢复时间的功率二极管的制造方法，包含：第1步，在重掺杂的N型硅衬底上的N型外延层中刻蚀出沟槽，制作栅氧化层，之后沟槽内淀积多晶硅栅极；第2步，进行体区的离子注入及扩散，形成器件的体区；第3步，在器件表面长一层硬掩膜并涂覆光刻胶并曝光显影，以打开硬掩膜的接触区，再去除光刻胶；第4步，硬掩膜打开之后，进行第一次接触孔刻蚀，然后进行一次杂质离子注入；接着再进行第二次沟接触孔刻蚀；第5步，去除硬掩膜，对硅表面进行缺陷的修复及清洗工艺；第6步，进行金属硅化物的淀积，进行接触孔内部的金属填充，然后整个器件的正面淀积一层铝作为器件的阳极，在器件的背面淀积金属作为器件的阴极。

主权项

一种低正向压降快恢复时间的功率二极管的制造方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：第1步，在重掺杂的N型硅衬底上的N型外延层中刻蚀出沟槽，进行硅表面处理及牺牲氧化层，制作栅氧化层，之后沟槽内淀积多晶硅栅极；第2步，进行体区的离子注入及扩散，形成器件的体区；再进行一次离子注入，形成重掺杂的P型区；第3步，在器件表面长一层硬掩膜并涂覆光刻胶并曝光显影，以打开硬掩膜的接触区，再去除光刻胶；第4步，硬掩膜打开之后，进行第一次接触孔刻蚀，然后对肖特基二极管接触孔区域进行一次杂质离子注入；接着再进行第二次沟接触孔刻蚀，使接触孔底部露出N型外延层；第5步，去除硬掩膜，对硅表面进行缺陷的修复及清洗工艺；第6步，进行金属硅化物的淀积，进行接触孔内部的金属填充，然后整个器件的正面淀积一层铝作为器件的阳极，在器件的背面淀积金属作为器件的阴极。