一种肖特基二极管

摘要

本发明提供了一种肖特基二极管，包括设在顶部阳极金属、设在阳极金属下方且与阳极金属相连的N外延层、设在N外延层下方且与N外延层相连的N型半导体基片、设在N型半导体基片下方且与N型半导体基片相连的N阴极层、设在N阴极层下方且与N阴极层相连的阴极金属、设在阴极金属的三个引脚，中间是阳极引脚，两边是阴极引脚，所述的阳极金属材料是钼，所述的N外延层、N型半导体基片和N阴极层均为硅片，所述的阳极金属两侧设有二氧化硅氧化绝缘层，所述的阳极引脚和阴极引脚上设有限位块。本发明的肖特基二极管，具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）引脚在镶嵌时不容易插入过深，不会导致焊接不稳固。

主权项

一种肖特基二极管，其特征在于，包括设在顶部阳极金属、设在阳极金属下方且与阳极金属相连的N外延层、设在N外延层下方且与N外延层相连的N型半导体基片、设在N型半导体基片下方且与N型半导体基片相连的N阴极层、设在N阴极层下方且与N阴极层相连的阴极金属、设在阴极金属的三个引脚，中间是阳极引脚，两边是阴极引脚，所述的阳极金属材料是钼，所述的N外延层、N型半导体基片和N阴极层均为硅片，所述的阳极金属两侧设有二氧化硅氧化绝缘层，所述的阳极引脚和阴极引脚上设有限位块。