| 发明名称 | 导电性高分子用蚀刻液、及将导电性高分子图案化的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本发明的图案化的方法使用如下的蚀刻液，即作为有效氯浓度为0.06重量％以上，并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液。 | ||
| 申请公布号 | CN103456626B | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201310232197.7 | 申请日期 | 2007.09.13 |
| 申请人 | 东亚合成株式会社 | 发明人 | 井原孝;藤本孝弘 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;C09K13/00(2006.01)I;H05K3/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种将导电性高分子予以图案化的方法，其中使用以下的蚀刻液，即有效氯浓度为0.06重量％以上且1重量％以下并且pH值为4以上且7.5以下的次氯酸盐水溶液，所述导电性高分子是聚噻吩类。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||