| 摘要 |
Eine SiC-Halbleitervorrichtung (1) umfasst ein SiC-Substrat (10), einen Gate-Isolierfilm (20), der auf einer Oberfläche (10A) des SiC-Substrats (10) gebildet und aus SiO2 hergestellt ist, und eine Gate-Elektrode (30), die auf dem Gate-Isolationsfilm (20) gebildet ist. Ein Höchstwert einer Stickstoffkonzentration in einem Bereich innerhalb von 10 nm von einer Grenzfläche (21) zwischen dem SiC-Substrat (10) und dem Gate-Isolierfilm (20) beträgt 3 × 1019 cm–3 oder mehr. Ein Höchstwert einer Stickstoffkonzentration in einem Bereich innerhalb von 10 nm von einer Grenzfläche (22) zwischen dem Gate-Isolationsfilm (20) und der Gate-Elektrode (30) beträgt 1 × 1020 cm–3 oder weniger. |
