发明名称 |
Eine photonische Kristallsensorstruktur und ein Verfahren zu deren Herstellung |
摘要 |
Ein Sensor (100) und ein Verfahren zum Herstellen eines Sensors (100) werden offenbart. Der Sensor (100) kann Folgendes enthalten: ein Substrat (102), eine optische Quelle (106), einen optischen Detektor (108), mehrere optische Hohlräume (110) in dem Substrat (102) oder in einer Schichtstruktur über dem Substrat (102), wobei die mehreren optischen Hohlräume (110) in einem optischen Weg zwischen der optischen Quelle (106) und dem optischen Detektor (108) angeordnet sein können, und eine Verarbeitungsschaltung, die an den optischen Detektor (108) gekoppelt ist und konfiguriert ist zum Empfangen eines Signals, das ein durch den optischen Detektor (108) empfangenes Signal darstellt. |
申请公布号 |
DE102015120917(A1) |
申请公布日期 |
2016.06.02 |
申请号 |
DE201510120917 |
申请日期 |
2015.12.02 |
申请人 |
Infineon Technologies AG |
发明人 |
Grille, Thomas;Hedenig, Ursula;Irsigler, Peter;Neidhart, Thomas;Rajaraman, Vijaye Kumar;Silvano de Sousa, Jonathan |
分类号 |
G01N21/00;B82Y20/00;G01J1/02;G01J1/42;G01K7/01;G01L9/00;G01N21/31;G02B6/00;H01L31/00;H01L33/00 |
主分类号 |
G01N21/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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