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Halbleiterwafer-Behandlungselement (A) mit mindestens einer Oberfläche, die mit einer darauf ausgebildeten Siliciumcarbid(SiC)-Schicht (C) ausgestattet ist, wobei die Schicht (C) so ausgebildet ist, dass sie sowohl Vorsprünge (1), die durch Kristallkornteile gebildet werden, als auch Vertiefungen (2) hat, die zwischen den Vorsprüngen (1) gebildet werden, das einen Trägerbereich zum Tragen eines Halbleiterwafers umfasst, die oberen Oberflächen (1a) des Trägerbereichs sind aufgebaut aus geschliffenen Vorsprüngen (1) von den Kristallkörnern, mit denen der Halbleiterwafer in Kontakt kommt, und Vertiefungen (2), die zwischen den Vorsprüngen (1) ausgebildet und nicht geschliffen wurden, wobei die geschliffenen Vorsprünge (1) mit den oberen Oberflächen (1a) ausgestattet sind, die eine Oberflächenrauhigkeit (Ra) von 0,05–1,3 μm aufweisen, und die ungeschliffenen Vertiefungen (2) Oberflächen (2a) mit einer Oberflächenrauhigkeit (Ra) von 3 μm oder mehr, gemessen über eine Länge von 300 μm haben. |
