发明名称 |
小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器 |
摘要 |
本发明提供一种小面积、线性度可调谐的高线性Cascode低噪声放大器,涉及射频集成电路领域,以解决现有低噪声放大器线性度不具有可调谐性,芯片面积过大的问题。该发明包括由共射级晶体管的集电极连接共基极晶体管的发射极构成的Cascode结构和创新的失真抵消通路,其中,所述失真抵消通路与所述Cascode结构的共射极晶体管集电极和共基极晶体管的发射极相连接,所述失真抵消通路包括并联了电容的共基极晶体管和集电极-基极短路连接的晶体管,所述低噪声放大器的阻抗匹配通过电阻串联电容的并联负反馈实现。本发明采用失真抵消通路,实现了宽带的高线性和线性度的可调谐;芯片面积有了极大的减小。 |
申请公布号 |
CN103546104B |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201310503791.5 |
申请日期 |
2013.10.23 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
张万荣;丁春宝;谢红云;金冬月;陈亮;付强;赵彦晓;高栋;鲁东;周孟龙;张卿远;邵翔鹏;霍文娟 |
分类号 |
H03F1/26(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 |
代理人 |
陈圣清 |
主权项 |
一种小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器,包括由共射级晶体管的集电极和共基极晶体管的发射极连接构成的Cascode结构,其特征在于,还包括失真抵消通路,所述失真抵消通路与所述Cascode结构的共射极晶体管的集电极和共基极晶体管的发射极相连接,所述失真抵消通路包括并联了一电容的共基极晶体管和一集电极‑基极晶体管短路连接的晶体管,并联一电容的共基极晶体管与集电极‑基极短路连接的晶体管串联;所述低噪声放大器的阻抗匹配通过一电阻串联一电容的并联负反馈实现;所述失真抵消通路中,晶体管的偏置采用一晶体管和三个电阻构成的电流源实现;所述失真抵消通路中,通过调整偏置电压源,改变晶体管偏置,实现线性度的可调谐。 |
地址 |
100124 北京市朝阳区平乐园100号 |